[메가경제=신승민 기자] SK하이닉스는 장태수 미래기술연구원 산하 담당 부사장이 지난 19일 서울 중구 대한상공회의소(이하 대한상의)에서 열린 ‘제52회 상공의 날’ 기념 행사에서 대통령 표창을 받았다고 20일 밝혔다.
장태수 부사장은 세계 최초로 최단 기간 내 10나노(nm)급 6세대(1c) 미세공정 기술이 적용된 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발해 국내 반도체 산업 경쟁력을 높인 공로로 대통령 표창을 수상했다고 회사는 설명했다.
장 부사장은 20년간 메모리 선행 기술 및 소자 연구에 매진한 전문가로, 44나노부터 10나노까지 10세대에 걸쳐 핵심 기술 개발에 참여했다.
특히 그는 기존 소자의 미세화 한계를 극복하기 위해 말 안장 모양의 핀펫인 새들-핀 구조를 개발, D램 셀 트랜지스터에 성공적으로 적용해 44나노 D램을 세계 최초로 양산하는 데 기여했다. 이 기술은 모든 D램 제조사로 확산되며 업계 표준으로 자리 잡았다.
또한 장 부사장은 ‘1c D램 개발 TF’에서 소자 총괄 리더로 참여한 이후 세계 최초로 최단 기간 내 1c DDR5 D램을 개발하는 성과를 냈다. 1c 공정 기술은 메모리 성능을 높이고 전력 소비를 줄이는 첨단 선행 기술로 고성능 컴퓨팅(HPC) 및 AI 성장의 필수 기술로 여겨진다.
장 부사장은 SK하이닉스 뉴스룸 인터뷰에서 “선배님들이 다져놓은 튼튼한 뼈대 위에 구성원이 힘을 합쳐 이룬 성과"라고 소감을 밝히며, "앞으로도 지금의 성공을 차세대 기술 개발로 이어가 1등 위상을 공고히 하는 데 최선을 다할 것”이라고 말했다.
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